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    新聞詳情

    IGBT模塊的選擇

    日期:2025-05-03 10:58
    瀏覽次數(shù):1617
    摘要:
     IGBT模塊的選擇

      IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時應(yīng)該降等使用。

    使用中的注意事項

      由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:

      在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極*大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

          除了以上產(chǎn)品外,公司同時還供應(yīng)有BUSSMANN、INFINEON模塊等產(chǎn)品,我們公司具備有*實戰(zhàn)的技術(shù),專業(yè)的運營團(tuán)隊,為您創(chuàng)造以用戶體驗為前提的服務(wù),服務(wù)的至善至美是我們永無止境的追求。因為以民為本,所以值得信賴;因為專業(yè)專職,所以值得選擇.以上信息僅供參考,詳情請致電相關(guān)工作人員為您解答。
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