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IGBT模塊的產品特點
日期：2025-05-03 20:11
瀏覽次數：1070
摘要：
IGBT模塊由MOSFET和雙極型晶體管復合的一個組件,它的輸入是極其MOSFET,輸出非常PNP晶體管,它將兩個組件的優點,既有MOSFET器件驅動的優勢,小功率和開關速度快,具有雙相情感元素的優勢,低飽和電壓,容量大,其頻率特性和功率晶體管之間MOSFET,可以正常工作在幾十千赫頻率范圍,在現代電力電子技術已經被越來越多的廣泛使用,在高頻率的大、**率應用占據了主導地位。如果在中間的IGBT門G和發射極E和驅動正電壓,接通,這收集器MOSFET C和底部的PNP晶體管晶體管傳導為中間低阻狀態;如果IGBT門和發射極電壓為0 v,MOS切斷,切斷了PNP晶體管基極電流供應,晶體管截止。IGBT作為MOSFET是電壓控制元件,在網格G - 10 V直流電壓之間應用發射器E,只有在uA水平的泄漏電流通過,基本上不消耗功率。
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