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西門康IGBT的研發(fā)進(jìn)展（一）
日期：2025-05-11 23:10
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摘要：
西門康IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性的器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。
1、低功率IGBT
西門康IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，市場(chǎng)上有一些公司推出低功率西門康IGBT產(chǎn)品，實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。
2、U-IGBT
U（溝槽結(jié)構(gòu)）--TGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進(jìn)一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進(jìn)步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸*少的產(chǎn)品。現(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。
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