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IXYS可控硅原理
日期：2025-05-11 22:30
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摘要：
IXYS可控硅是IXYS可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。IXYS可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、**科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。
IXYS可控硅**陽極A1與**陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和**陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向IXYS可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當**陽極A1、**陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。
IXYS可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。IXYS可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用IXYS可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流 容量達幾百安培以至上千安培的IXYS可控硅元件。一般把5安培以下的IXYS可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的IXYS可控硅叫大功率可控硅。
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