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BUSSMANN的介紹 1914年，Bussmann五兄弟開(kāi)始在家里生產(chǎn)熔斷器，不久遷入一小型廠房，開(kāi)始了汽車(chē)熔斷器的生產(chǎn)。1985年，Cooper(庫(kù)柏工業(yè))購(gòu)買(mǎi)該公司，成立了新的事業(yè)部—“CooperBussmann熔斷器”...發(fā)布時(shí)間：2016-08-18 點(diǎn)擊次數(shù)：781 次
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IGBT模塊簡(jiǎn)單介紹 IGBT模塊簡(jiǎn)單介紹 IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...發(fā)布時(shí)間：2016-08-11 點(diǎn)擊次數(shù)：870 次
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FERRAZ熔斷器的級(jí)間配合 為防止發(fā)生越級(jí)熔斷、擴(kuò)大事故范圍，上、下級(jí)（即供電干、支線）線路的熔斷器間應(yīng)有良好配合。選用時(shí)，應(yīng)使上級(jí)（供電干線）FERRAZ熔斷器的熔體額定電流比下級(jí)（供電支線）的大1～2個(gè)級(jí)差。常用的熔斷器有管式熔斷...發(fā)布時(shí)間：2016-08-08 點(diǎn)擊次數(shù)：822 次
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IGBT模塊的技術(shù)發(fā)展 IGBT模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—...發(fā)布時(shí)間：2016-08-03 點(diǎn)擊次數(shù)：767 次
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ABB可控硅的形式 常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。可控硅的主要參數(shù)有：平均值1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50...發(fā)布時(shí)間：2016-07-25 點(diǎn)擊次數(shù)：884 次
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IGBT模塊的作用 1. IGBT模塊的選擇 IGBT模塊的電壓規(guī)格與所用于裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。用于中當(dāng)模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此...發(fā)布時(shí)間：2016-07-19 點(diǎn)擊次數(shù)：874 次
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IXYS可控硅結(jié)構(gòu)原件 IXYS可控硅結(jié)構(gòu)原件 IXYS可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整...發(fā)布時(shí)間：2016-07-13 點(diǎn)擊次數(shù)：769 次
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IXYS可控硅的方法 晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比，可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，并體積小、輕、功耗低、效率高、開(kāi)關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)，IXYS可控硅廣泛用于無(wú)...發(fā)布時(shí)間：2016-07-07 點(diǎn)擊次數(shù)：856 次
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BUSSMANN熔斷器簡(jiǎn)單介紹 BUSSMANN熔斷器簡(jiǎn)單介紹 BUSSMANN熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從...發(fā)布時(shí)間：2016-06-30 點(diǎn)擊次數(shù)：755 次
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IGBT模塊使用注意事項(xiàng) 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是(IGBT模塊)IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因...發(fā)布時(shí)間：2016-06-24 點(diǎn)擊次數(shù)：867 次
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BUSSMANN熔斷器常見(jiàn)種類(lèi) BUSSMANN熔斷器常見(jiàn)種類(lèi) 插入式熔斷器：它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。 螺旋式熔斷器：熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過(guò)...發(fā)布時(shí)間：2016-06-17 點(diǎn)擊次數(shù)：801 次
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FERRAZ熔斷器的結(jié)構(gòu)與功能特點(diǎn) FERRAZ熔斷器是利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，當(dāng)過(guò)載或短路電流通過(guò)熔體時(shí)，因其自身發(fā)熱而熔斷，從而分?jǐn)嚯娐返囊环N電器。熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定...發(fā)布時(shí)間：2016-06-08 點(diǎn)擊次數(shù)：799 次
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IGBT模塊的靜態(tài)特性 IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。IGBT模塊的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與...發(fā)布時(shí)間：2016-06-03 點(diǎn)擊次數(shù)：728 次
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IGBT模塊驅(qū)動(dòng)保護(hù)要點(diǎn) IGBT模塊的應(yīng)用電路有半橋電路逆變、全橋電路逆變、三相逆變、斬波應(yīng)用等。IGBT模塊已被廣泛應(yīng)用于UPS、感應(yīng)加熱電源、逆變焊機(jī)電源和電機(jī)變頻調(diào)速等電源領(lǐng)域。1、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電壓Uge理論上Uge≥...發(fā)布時(shí)間：2016-05-30 點(diǎn)擊次數(shù)：802 次
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IGBT模塊散熱器*基本的使用說(shuō)明 IGBT模塊散熱器*基本的用于說(shuō)明。㈠依據(jù)裝置負(fù)載的工作電壓和額定電流以及用于頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。用戶(hù)用于模塊前請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)確定用于方案，計(jì)算通態(tài)...發(fā)布時(shí)間：2016-05-20 點(diǎn)擊次數(shù)：773 次
